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碳化硅陶瓷的烧结方法常用三种介绍【新资讯】

发布时间:2019-10-17 18:03:02 阅读: 来源:挂车厂家

今天小编要给大家介绍的是碳化硅陶瓷,此种是陶瓷材料中高温强度最好的一种,其抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷里最好的,因而被广泛的应用于各个工业领域。下面要给大家带来的内容是碳化硅陶瓷的三种常见... < 今天小编要给大家介绍的是碳化硅陶瓷,此种是陶瓷材料中高温强度最好的一种,其抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷里最好的,因而被广泛的应用于各个工业领域。下面要给大家带来的内容是碳化硅陶瓷的三种常见烧结方法。

碳化硅陶瓷----无压烧结

在1974年,美国的GE公司尝试着在高纯度的β-SiC细粉中添加少量B和C,并使用无压烧结工艺,于2020℃成功获得了高密度的SiC陶瓷。该工艺现在已成为制备SiC陶瓷最主要的方法。

现在又有研究者在亚微米SiC粉料中添加Y2O3和Al2O3,在1850℃到2000℃的温度下实现SiC的致密烧结。因为烧结的温度比力低而有着明显细化的微不雅结构,因此其强度、韧性均有大大的改善。

碳化硅陶瓷----热压烧结

在上世纪50年代中期,美国的Norton公司就开始研究Ni、Cr、B、Al、Fe等金属添加物对SiC热压烧结的影响。实验结果表白,De和Al是促进SiC热压致密化最有效果的添加剂。还有人用Al2O3作为添加剂,通过热压的烧结工艺,成功实现了SiC的致密化,并且认为其机理是液相烧结的。也有人别离用B4C、B或B与C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C与C作微添加剂,并采用热压的烧结方式成功获得了致密SiC陶瓷。

碳化硅陶瓷----热等静压烧结:

近几年来,为了进一步改善SiC陶瓷力学性能的提升,许多研究人员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺研究,以B与C作为添加剂使用,并运用热等静压烧结工艺,在1900℃环境下便成功获得了高密度的SiC烧结体。更进一步通过这种工艺,在2000℃与138MPa的压力下,成功实现了无添加剂SiC陶瓷的致密烧结。整体的研究结果说明,当SiC粉末粒径小于0.6μm的时候,哪怕不使用什么添加剂,通过热等静压的烧结,也能在1950℃使其致密化。

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